O novo transistor de germânio é quatro vezes mais rápido que o transistor atual

Segundo relatos da mídia estrangeira, os cientistas do MIT desenvolveram um novo tipo de transistor. O novo transistor passa a corrente através de orifícios na estrutura atômica do material, que é cerca de quatro vezes mais rápida que os transistores atuais.

Para aumentar a velocidade, os cientistas colocaram germânio em diferentes camadas de silício e produtos compostos de silício. Mais tarde, os átomos de germânio foram combinados com camadas de silício. Os materiais de tensionamento forçaram a estrutura do material superior a ser mais compacta do que suas estruturas originais. Parece um pouco como usamos o Rattan para mudar a forma das plantas.

A estrutura compacta resulta em um orifício mais apertado entre os materiais de germânio, e a velocidade do transistor é o dobro da maioria dos projetos experimentais atuais, e a velocidade do transistor no mercado é 4 vezes.